晶圆临时键合、解键合应用于 “SiC超薄晶圆处理”

在减薄晶圆前将一个载体晶片与要加工的晶圆牢固连接在一起。 这些载体晶片可以是硅片，玻璃片或者蓝宝石片。这些措施被称为临时键合，其有助于保护晶圆在随后的处理中免受损坏。

临时键合胶可根据材料物理形态而划分为临时键合蜡、复合胶带以及旋转涂敷式胶粘剂，如临时键合胶包括热塑性树脂、热固性树脂及光刻胶等。临时键合技术原理即类似于胶黏剂键合主要包括加热固化及UV 固化两类。

目前常见的解键合技术包括四种，即化学浸泡解键合、热滑移解键合、机械解键合、紫外/ 红外激光解键合。临时键合材料必须兼容高温和耐化学等工艺条件。

“薄型 SiC”二极管结构可带来额外优势

Nexperia 的“合并 PiN 肖特基”不仅具有更低的漏电流和浪涌电流额定值，而且由于在制造过程中减少了芯片厚度，还具有其他优势。未经过处理的 SiC 衬底为 N 掺杂衬底，并会生长出SiC 外延层，以形成漂移区。衬底最初的厚度可达 500 µm，但在外延后，这会给背面金属的电流和热流路径增加额外的电阻和热阻。因此，给定电流下的正向压降和结温也会变得更高。针对该问题，可将衬底的底面“磨薄”。在此工序中，材料质量和研磨精度至关重要，以避免厚度不均匀，进而降低二极管的性能，并且可能会导致现场故障。此外，考虑到 SiC 的硬度更高（莫氏硬度等级为 9.2 至 9.3，而硅的硬度等级约为 6.5），该工艺需要先进的制造技术。

下图显示了该工艺的效果，通过使用 Nexperia 的“薄型 SiC”技术将衬底厚度减少到原来的三分之一。因此，从结点到背面金属的热阻显著降低，从而降低工作温度，提高器件可靠性，延长其使用寿命，提高浪涌电流能力，并降低正向压降。SiC 的固有优势和 Nexperia 的先进制造工艺相辅相成，造就出了与理想二极管性能非常接近的器件。

                      引自：Nexperia 白皮书   从SiC到薄型SiC：将功率二极管性能提升至新高度